Sfoglia per Serie MATERIALS SCIENCE FORUM
Thermal annealing of high dose p implantation in 4H-SiC
file da validare2019-01-01 Calabretta, C.; Zimbone, M.; Barbagiovanni, E. G.; Boninelli, S.; Piluso, N.; Severino, A.; Di Stefano, M. A.; Lorenti, S.; Calcagno, L.; La Via, F.
Very high growth rate epitaxy process with chlorine addition
file da validare2007-01-01 LA VIA, F; Leone, S; Mauceri, M; Pistone, G; Condorelli, G; Abbondanza, G; Portuese, F; Galvagno, G; DI FRANCO, S; Calcagno, Lucia; Foti, G; Valente, G. L.; Crippa, D.
Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
---|---|---|---|
Thermal annealing of high dose p implantation in 4H-SiC | 1-gen-2019 | Calabretta, C.; Zimbone, M.; Barbagiovanni, E. G.; Boninelli, S.; Piluso, N.; Severino, A.; Di Stefano, M. A.; Lorenti, S.; Calcagno, L.; La Via, F. | file da validare |
Very high growth rate epitaxy process with chlorine addition | 1-gen-2007 | LA VIA, F; Leone, S; Mauceri, M; Pistone, G; Condorelli, G; Abbondanza, G; Portuese, F; Galvagno, G; DI FRANCO, S; Calcagno, Lucia; Foti, G; Valente, G. L.; Crippa, D. | file da validare |
Legenda icone
- file ad accesso aperto
- file disponibili sulla rete interna
- file disponibili agli utenti autorizzati
- file disponibili solo agli amministratori
- file sotto embargo
- nessun file disponibile